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高壓片式電阻器HVC系列結合了專有的細線厚膜技術和設計，實現了SMD片式電阻器的高電壓額定值和穩定性的新水平。與傳統厚膜芯片電阻器相比，Nicrom的技術具有更長、高縱橫比的低電阻率薄膜跡線。
性能特點與標準芯片電阻器相比，Nicrom的HVC系列提供了無與倫比的性能和設計效率，從而降低了電壓系數和溫度系數、降低了噪聲、更嚴格的公差、更高的穩定性、更高電阻值和更高的電壓額定值。提供可接線鍵合的金端子和定制配置。
技術參數電阻值：所有型號從1K到高達100G（根據要求為1T）
公差：0.05%、0.1%、0.25%、0.5%、1%、2%、5%、10%、20%（0.05%適用于10G，0.25%適用于100G）
溫度系數：5、10、15、25、50和100 ppm/ C（10G可用10 ppm/ C，100G可用25 ppm/ ）
工作溫度：-55 +200 C（可將溫度范圍擴展至350 C）
絕緣電阻： 10 000 M 500 V 25 C 75%相對濕度
介電強度： 1'000伏25 C 75%相對濕度
熱沖擊：R/R 0.1%典型值，max.0.50%MIL Std. 202，method 107 Cond. C IEC 68 - 2 -14
過載：R/R 0.1%典型值，0.50%max.1,5 x Pnom，5秒（不超過MAX電壓）
防潮性：R/R 0.1%典型值，max.0.50%MIL標準202，方法106 IEC 68-2-3
負載壽命：R/R 0.1%典型值，額定功率下max.0.50%1000小時IEC 115-1
封裝：絲網印刷硅膠
核心材料
Al2O3（96%）
焊盤材料：銀（PdAg）/可粘結金/鍍錫電阻材料氧化釕
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